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热销型号

BCR108E6327HTSA1
带预偏置三极管 100mA NPN SOT23-3 +150℃(TJ)
品牌：Infineon
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.47743
数量国内价格
10+ ￥0.47743
100+ ￥0.37318
600+ ￥0.36758
1200+ ￥0.35655
3000+ ￥0.34051
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散200mW
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- Vce饱和压降300mV
- 基射极电阻（R2）2.2k
- 极性NPN
- 跃迁频率170MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 电阻器比率0.047
- 工作温度+150℃(TJ)
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA
- 集电极电流 Ic100mA
- 电阻器-发射极基底（R3）（欧姆）47k
- 输入电阻2.2kΩ
- 高度1.00mm
- 晶体管类型NPN-预偏置
- DC电流增益(hFE)70@5mA，5V
购买数量
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IRLML5203TRPBF
MOSFETs P-channel 30 V 3A SOT-23
品牌：Infineon
现货库存：30715 (立即发货)
销售单价
5+￥0.60905
数量国内价格
5+ ￥0.60905
50+ ￥0.47671
600+ ￥0.361
1200+ ￥0.35558
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 印字代码XYWLC
- 连续漏极电流3A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss43pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)14nC@10V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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IRLML0030TRPBF
表面贴装型 N 通道 30 V 5.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23
品牌：Infineon
现货库存：211619 (立即发货)
销售单价
5+￥0.6308
数量国内价格
5+ ￥0.6308
50+ ￥0.494
600+ ￥0.3743
1200+ ￥0.36869
3000+ ￥0.33326
15000+ ￥0.32826
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压2.3V@25µA
- 栅源电压 Vgss±20V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.3A（Ta）
- FET类型N沟道
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55°C~150°C（TJ）
- 配置单路
- 供应商器件封装Micro3™/SOT-23
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)2.6nC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
- 不同Id时的Vgs（th）2.3V@25µA
购买数量
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IRLML0100TRPBF
MOSFETs N-channel 100 V 1.6A SOT-23
品牌：Infineon
现货库存：21337 (立即发货)
销售单价
5+￥0.66614
数量国内价格
5+ ￥0.66614
50+ ￥0.5339
600+ ￥0.41819
1200+ ￥0.41192
3000+ ￥0.31806
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散1.3W
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流1.6A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1.6A
- 栅极源极击穿电压±16V
- 反向传输电容Crss13pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量13nC
- 配置单路
- 系列HEXFET®
- FET功能-
- Vgs(Max)±16V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)2.5nC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
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IRLML2502TRPBF
MOSFETs P-channel 20V 4.2A SOT-23
品牌：Infineon
现货库存：43146 (立即发货)
销售单价
5+￥0.66595
数量国内价格
5+ ￥0.66595
50+ ￥0.55081
600+ ￥0.54255
1200+ ￥0.52627
3000+ ￥0.50259
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压1.2V@250µA
- 额定功率1.25W
- 原始制造商Infineon Technologies AG
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,4.2A
- 包装Tape/reel
- 印字代码XYWLC
- 连续漏极电流4.2A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）2.5V，4.5V
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.2A
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)12nC@5V
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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IRLML0040TRPBF
MOSFETs N-channel 40 V 3.6A SOT-23
品牌：Infineon
现货库存：14978 (立即发货)
销售单价
5+￥0.96045
数量国内价格
5+ ￥0.96045
50+ ￥0.74451
600+ ￥0.73334
1200+ ￥0.71134
3000+ ￥0.67933
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压2.5V@25µA
- 额定功率1.3W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@10V,3.6A
- 包装Tape/reel
- 印字代码XYWLC
- 连续漏极电流3.6A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 系列HEXFET®
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±16V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)40V
- 栅极电荷(Qg)3.9nC
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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IRLL014NTRPBF
MOSFETs 55V 2.1W SMT SOT223 2.8A N-Channel
品牌：Infineon
现货库存：20790 (立即发货)
销售单价
5+￥1.3091
数量国内价格
5+ ￥1.3091
50+ ￥1.20622
500+ ￥1.13003
1000+ ￥1.11308
2500+ ￥1.07969
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散2.1W
- 阈值电压2V@250µA
- 额定功率1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)140mΩ@10V,2A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流2.8A
- 封装/外壳SOT-223
- 反向传输电容Crss30pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量9.5nC
- 配置单路
- 系列HEXFET®
- FET功能-
- Vgs(Max)±16V
- 漏源电压(Vdss)55V
- 栅极电荷(Qg)14nC@10V
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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IRFR5410TRPBF
表面贴装型 P 通道 100 V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
品牌：Infineon
现货库存：14364 (立即发货)
销售单价
1+￥1.64921
数量国内价格
1+ ￥1.64921
30+ ￥1.58721
100+ ￥1.46321
500+ ￥1.33921
1000+ ￥1.27721
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 阈值电压4V@250µA
- 额定功率66W
- 原始制造商Infineon Technologies AG
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流13A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳TO-252AA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列HEXFET®
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装2000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)58nC
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
购买数量
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IRFR3607TRPBF
MOSFETs 75V 140W SMT TO252AA 80A N-Channel
品牌：Infineon
现货库存：4768 (立即发货)
销售单价
1+￥2.288
数量国内价格
1+ ￥2.288
30+ ￥2.208
100+ ￥2.048
500+ ￥1.888
1000+ ￥1.808
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Infineon
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压4V@100µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流80A
- 封装/外壳TO-252AA
- 漏极电流56A
- 工作温度-55℃~+175℃
- 配置单路
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装2000pcs
- 漏源电压(Vdss)75V
- 栅极电荷(Qg)84nC@10V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSC052N08NS5
品牌：Infineon
现货库存：1240 (立即发货)
销售单价
1+￥7
数量国内价格
1+ ￥7
30+ ￥6.75
100+ ￥6.25
500+ ￥5.75
1000+ ￥5.5
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳TDSON-8
- 品牌Infineon
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容2.9nF@40V
- 漏源电压(Vdss)80V
- 连续漏极电流95A
- 高度1.05mm
- 引脚数5Pin
- 长x宽/尺寸5.37 x 6.12mm
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.47743

属性

销售单价
5+￥0.60905

属性

销售单价
5+￥0.6308

属性

销售单价
5+￥0.66614

属性

销售单价
5+￥0.66595

属性

销售单价
5+￥0.96045

属性

销售单价
5+￥1.3091

属性

销售单价
1+￥1.64921

属性

销售单价
1+￥2.288

属性

销售单价
1+￥7

属性

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属性

数量	国内价格
10+	￥0.47743
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数量	国内价格
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3000+	￥0.33326
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数量	国内价格
5+	￥0.66614
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1200+	￥0.41192
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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50+	￥0.74451
600+	￥0.73334
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数量	国内价格
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500+	￥1.13003
1000+	￥1.11308
2500+	￥1.07969

数量	国内价格
1+	￥1.64921
30+	￥1.58721
100+	￥1.46321
500+	￥1.33921
1000+	￥1.27721

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.47743

属性

销售单价5+￥0.60905

属性

销售单价5+￥0.6308

属性

销售单价5+￥0.66614

属性

销售单价5+￥0.66595

属性

销售单价5+￥0.96045

属性

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属性

销售单价
10+￥0.47743

销售单价
5+￥0.60905

销售单价
5+￥0.6308

销售单价
5+￥0.66614

销售单价
5+￥0.66595

销售单价
5+￥0.96045

销售单价
5+￥1.3091

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1+￥1.64921

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1+￥2.288

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